MN1-6-M-B35D-4-5-E傑(jie)弗倫GEFRAN壓力傳(chuan)感器 M-----為(wei)系(xi)列(lie)號(hao) N--------輸出信號0-10V 1--------硬(ying)桿(gan)+軟(ruan)桿 6-----接(jie)頭(tou) 6腳(jiao) M-----精度(du)等(deng)級 0.5%FSO B35D----量程 4-------螺(luo)紋(wen)標(biao)準(zhun)M18x1.5 5------硬(ying)桿長度毫(hao)米(mi)/英寸）318mm 12.5” E---------軟(ruan)桿長度（毫(hao)米(mi)/英寸）610mm 2

傑(jie)弗倫GTS-25-48-D-0繼電(dian)器(qi)GTS25A 480VAC 負載的(de)導入和導(dao)出(chu)需要使用壹個(ge)適(shi)當的轉(zhuan)換(huan)裝置和保護裝置，它必需是安全(quan)的(de)並不受(shou)幹擾的影響。 為(wei)了進行精確(que)的(de)控(kong)制(zhi)，許(xu)多(duo)工(gong)業應(ying)用要求負載在(zai)極短(duan)的(de)轉(zhuan)換(huan)時(shi)間(jian)內被激(ji)活(huo)。現(xian)行的辦(ban)法是使用固態(tai)繼電(dian)器(qi)。 GEFRAN 提(ti)供(gong)壹系(xi)列(lie)固(gu)態(tai)繼電(dian)器(qi)-GTS，它(ta)們(men)的(de)電(dian)流(liu)額定(ding)值在10A 和(he)120A 之(zhi)間(jian)，標(biao)準(zhun)電(dian)流(liu)為230Vac 和(he)480Vac

GEFRAN傑(jie)弗倫傳(chuan)感器MK4-A-A-0175-N訂(ding)貨周期(qi) MK4-A-A-0175-N 模(mo)擬(ni)輸出 MK4A A表示連接(jie)方(fang)式 M12 5腳(jiao) 接(jie)頭(tou)輸出 0175表示型(xing)號(hao)，長度輸出0...10Vdc 1 指針 N 輸出 0,1...10,1Vdc 1 指針只對(dui)於(yu)直接(jie)輸出 W 10,1...0,1Vdc 1 指針只對(dui)於(yu)反向(xiang)輸出 Z

傑(jie)弗倫繼電(dian)器(qi)GTS-40/48-0升級GTS-40/48-D-0 GTS40 （SCR型(xing)） zui大(da)相(xiang)對溫度(du): 50% （40C時(shi)） 標(biao)準(zhun)電(dian)流(liu): 40A@40C（100%輸出） zui大安裝海(hai)拔(ba)高(gao)度(du): 2000米(mi) 非重(zhong)復性(xing)過(guo)電(dian)流(liu)=20ms 400A 空(kong)氣汙(wu)染等(deng)級: 3 對於熔化ft :1020A's 儲存溫(wen)度:-20++85C 臨界(jie)dV/dt 關(guan)閉(bi)狀態1000V/US

PY2-F-75傑(jie)弗倫位移傳(chuan)感器某(mou)機床(chuang)型(xing)號(hao) 大(da)移動速度(du): 10m/s 沖(chong)擊(ji)系(xi)數(shu): IEC 68-2-29:1968 50g 振(zhen)動系(xi)數(shu): IEC 68-2-6:1982 20g 大(da)容(rong)許(xu)電(dian)壓: DC60V/5KΩ～ 20KΩ；DC36V/2KΩ～4KΩ；DC24V/1KΩ 溫(wen)漂系(xi)數(shu): 1.5ppm/℃

傑(jie)弗倫GEFRAN繼電(dian)器(qi)GS-25/48-D-0操(cao)作方(fang)法 SSR按輸入控制(zhi)方(fang)式，可分(fen)為(wei)電(dian)阻型(xing)、恒(heng)流(liu)源(yuan)和交(jiao)流(liu)輸入控制(zhi)型(xing)。目前(qian)主要(yao)提(ti)供的(de)，是供5V TTL電(dian)平用(yong)電(dian)阻輸入型(xing)。使(shi)用(yong)其(qi)他控制(zhi)電(dian)壓時(shi)，可相(xiang)應選用(yong)限(xian)流(liu)電(dian)阻。SSR輸入屬於(yu)電(dian)流(liu)型(xing)器(qi)件(jian)，當輸入端光(guang)耦(ou)可控矽(gui)*導(dao)通(tong)後(hou)（微(wei)秒數(shu)量級），觸發功(gong)率(lv)可控矽(gui)導(dao)通(tong)。當激勵不足或斜(xie)波式的(de)觸(chu)發電(dian)壓，有(you)可能(neng)造(zao)成(cheng)功率(lv)可控矽(gui)處(chu)於(yu)臨界(jie)導通邊緣，並造(zao)成(cheng)主負載電(dian)流(liu)流(liu)經觸發(fa)回路(lu)引起(qi)的