MN1-6-M-B35D-4-5-E傑弗(fu)倫GEFRAN壓力(li)傳感器(qi) M-----為系(xi)列(lie)號(hao) N--------輸(shu)出(chu)信(xin)號(hao)0-10V 1--------硬(ying)桿+軟桿 6-----接(jie)頭 6腳 M-----精(jing)度(du)等級(ji) 0.5%FSO B35D----量程(cheng) 4-------螺紋(wen)標(biao)準(zhun)M18x1.5 5------硬(ying)桿長度(du)毫米/英寸）318mm 12.5” E---------軟桿長度(du)（毫米/英寸）610mm 2

傑弗(fu)倫GTS-25-48-D-0繼(ji)電器GTS25A 480VAC 負載的導(dao)入(ru)和(he)導出(chu)需要(yao)使(shi)用(yong)壹個適當(dang)的轉(zhuan)換(huan)裝(zhuang)置和(he)保護裝(zhuang)置，它必需(xu)是(shi)安全(quan)的並(bing)不受(shou)幹擾的影響(xiang)。 為了(le)進行精(jing)確(que)的控制，許(xu)多工(gong)業(ye)應(ying)用(yong)要(yao)求負(fu)載在極(ji)短的轉(zhuan)換(huan)時間內(nei)被(bei)激(ji)活。現行的辦(ban)法(fa)是(shi)使(shi)用(yong)固(gu)態繼電器。 GEFRAN 提供(gong)壹(yi)系(xi)列(lie)固(gu)態繼電器-GTS，它們(men)的電流(liu)額(e)定(ding)值(zhi)在10A 和(he)120A 之間，標(biao)準(zhun)電流(liu)為230Vac 和(he)480Vac

GEFRAN傑弗(fu)倫傳感器(qi)MK4-A-A-0175-N訂(ding)貨(huo)周期 MK4-A-A-0175-N 模(mo)擬輸出(chu) MK4A A表(biao)示(shi)連(lian)接(jie)方(fang)式(shi) M12 5腳 接(jie)頭輸(shu)出(chu) 0175表(biao)示(shi)型號(hao)，長(chang)度(du)輸出(chu)0...10Vdc 1 指針(zhen) N 輸出(chu) 0,1...10,1Vdc 1 指針(zhen)只對於直(zhi)接(jie)輸出(chu) W 10,1...0,1Vdc 1 指針(zhen)只對於反(fan)向輸出(chu) Z

傑弗(fu)倫繼(ji)電器GTS-40/48-0升級(ji)GTS-40/48-D-0 GTS40 （SCR型） zui大相對(dui)溫(wen)度(du): 50% （40C時） 標(biao)準(zhun)電流(liu): 40A@40C（100%輸出(chu)） zui大安(an)裝(zhuang)海(hai)拔高度(du): 2000米 非(fei)重復性過電流(liu)=20ms 400A 空氣汙染(ran)等級(ji): 3 對於熔化ft :1020A's 儲(chu)存溫(wen)度(du):-20++85C 臨界(jie)dV/dt 關(guan)閉(bi)狀(zhuang)態(tai)1000V/US

PY2-F-75傑弗(fu)倫位(wei)移傳感器(qi)某機(ji)床(chuang)型號(hao) 大移動速度(du): 10m/s 沖(chong)擊系(xi)數: IEC 68-2-29:1968 50g 振動(dong)系(xi)數: IEC 68-2-6:1982 20g 大容許(xu)電壓: DC60V/5KΩ～ 20KΩ；DC36V/2KΩ～4KΩ；DC24V/1KΩ 溫(wen)漂(piao)系(xi)數: 1.5ppm/℃

傑弗(fu)倫GEFRAN繼(ji)電器GS-25/48-D-0操(cao)作方(fang)法(fa) SSR按(an)輸入(ru)控制方(fang)式(shi)，可分(fen)為電阻(zu)型、恒流(liu)源(yuan)和(he)交(jiao)流(liu)輸入(ru)控制型。目前主(zhu)要(yao)提供(gong)的，是(shi)供(gong)5V TTL電平用(yong)電阻(zu)輸(shu)入(ru)型。使(shi)用(yong)其(qi)他(ta)控制電壓時，可相應(ying)選用(yong)限流(liu)電阻(zu)。SSR輸(shu)入(ru)屬(shu)於電流(liu)型器件(jian)，當(dang)輸(shu)入(ru)端(duan)光耦(ou)可控矽*導通後（微秒數量(liang)級(ji)），觸發功率可控矽導通。當(dang)激(ji)勵不足或(huo)斜(xie)波(bo)式(shi)的觸(chu)發電壓，有(you)可能造(zao)成(cheng)功率可控矽處於臨(lin)界導(dao)通邊緣(yuan)，並(bing)造(zao)成(cheng)主負(fu)載電流(liu)流(liu)經(jing)觸發(fa)回(hui)路(lu)引起的